نتريد الإنديوم والغاليوم
مركب كيميائي
نتريد الإنديوم والغاليوم (InGaN) هو شبه موصل مصنوع من مزيج من نتريد الغاليوم (GaN) ونتريد الإنديوم (InN). يتميز نتريد الإنديوم والغاليوم بأن فجوة النطاق لديه مباشرة بين عنصرين منتميين إلى مجموعتين مختلفتين: المجموعة الثالثة (مجموعة البورون) والمجموعة الخامسة (مجموعة النتروجين). يمكن أن يتم التحكم بفجوة النظاق عن طريق ضبط كمية الإنديوم في السبيكة، وعادة ما تتراوح نسبة عنصر الإنديوم فيها بين 2% إلى 30%.[1]
طالع أيضاً
عدلالمراجع
عدل- ^ Linti, G. "The Group 13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities. Edited by Simon Aldridge and Anthony J. Downs.Angew. Chem". Angewandte Chemie International Edition. ج. 50: 11569. DOI:10.1002/anie.201105633.
في كومنز مواد ذات صلة بـ نتريد الإنديوم والغاليوم.
