ملف:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg
حجم معاينة PNG لذلك الملف ذي الامتداد SVG: 401 × 235 بكسل. الأبعاد الأخرى: 320 × 188 بكسل | 640 × 375 بكسل | 1٬024 × 600 بكسل | 1٬280 × 750 بكسل | 2٬560 × 1٬500 بكسل.
الملف الأصلي (ملف SVG، أبعاده 401 × 235 بكسل، حجم الملف: 7 كيلوبايت)
تاريخ الملف
اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.
زمن/تاريخ | صورة مصغرة | الأبعاد | مستخدم | تعليق | |
---|---|---|---|---|---|
حالي | 08:52، 20 فبراير 2010 | 401 × 235 (7 كيلوبايت) | Cepheiden | svg fix | |
08:51، 20 فبراير 2010 | 401 × 235 (7 كيلوبايت) | Cepheiden | small fixes | ||
08:45، 20 فبراير 2010 | 401 × 235 (7 كيلوبايت) | Cepheiden | {{Information |Description={{en|Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.}} {{de|Vergleich eines konventio |
استخدام الملف
الصفحة التالية تستخدم هذا الملف:
الاستخدام العالمي للملف
الويكيات الأخرى التالية تستخدم هذا الملف:
- الاستخدام في ca.wikipedia.org
- الاستخدام في de.wikipedia.org
- الاستخدام في zh.wikipedia.org