دانييل كابلان

فيزيائي فرنسي

دانييل كابلان (بالفرنسية: Daniel Kaplan)‏ هو فيزيائي فرنسي، ولد في أبريل 1941.[2][3][4]

دانييل كابلان
(بالفرنسية: Daniel Kaplan)‏  تعديل قيمة خاصية (P1559) في ويكي بيانات
معلومات شخصية
الميلاد 28 أبريل 1941 (83 سنة)  تعديل قيمة خاصية (P569) في ويكي بيانات
مواطنة فرنسا  تعديل قيمة خاصية (P27) في ويكي بيانات
عضو في الأكاديمية الفرنسية للعلوم،  والأكاديمية الفرنسية للتكنولوجيا  [لغات أخرى]‏  تعديل قيمة خاصية (P463) في ويكي بيانات
الحياة العملية
المدرسة الأم المدرسة متعددة التقنيات  تعديل قيمة خاصية (P69) في ويكي بيانات
المهنة فيزيائي  تعديل قيمة خاصية (P106) في ويكي بيانات
اللغات الفرنسية  تعديل قيمة خاصية (P1412) في ويكي بيانات
الجوائز
المواقع
الموقع الموقع الرسمي[1]  تعديل قيمة خاصية (P856) في ويكي بيانات

مراجع

عدل
  1. ^ الأكاديمية الفرنسية للعلوم، OL:1180173A، QID:Q188771
  2. ^ Sapoval, B., Kaplan, D., et Lampel, G., « Measurement of the hyperfine field contribution to quantum transport by NMR excitation », Solid State Communications, 1971, vol. 9, no 18, p. 1591-1593
  3. ^ Kaplan, D. et Gueron, M., « Résonance magnétique des porteurs chauffés par électrons photoexités dans l’antominiure d’indium », CRAS, 1965, vol. 260, no 10, p. 2766
  4. ^ Thomas, P. A., Brodsky, M. H., Kaplan, D., et al., « Electron spin resonance of ultrahigh vacuum evaporated amorphous silicon: In situ and ex situ studies », Physical Review B, 1978, vol. 18, no 7, p. 3059